Rof तीव्रता Modulator पातलो फिल्म लिथियम nothium nothert Modubater 20g tfln Mofluter

Rof तीव्रता Modulator पातलो फिल्म लिथियम nothium nothult Modubater 20g tfln Mofln Mustlore छवि प्रस्तुत छवि

छोटो वर्णन:

Rof 20g tfln स्मारक। पातलो फिल्म लिथियम NOOiebibate Moobitive Modtric एक उच्च प्रदर्शन इलेक्ट्रिक रूपान्तरण उपकरण हो, जुन हाम्रो कम्पनी द्वारा स्वतन्त्र बौद्धिक सम्पत्ती अधिकार पूरा छ। उत्पादन अल्ट्रा-उच्च इलेक्ट्रोको अप्टिकल रूपान्तरण दक्षता प्राप्त गर्न उच्च-सटीक दर्डा लिटि ing टेक्नोलोजी द्वारा प्याकेज गरिएको छ। परम्परागत लिथियमको तुलनामा क्रिस्टल मोड्युलेटरको तुलनामा, यस उत्पादनमा कम आधा-तरंग भोल्ट, उच्च स्थिरता, ब्याकबोन संचार नेटवर्क र सञ्चार अनुसन्धान परियोजनाहरूको विशेषताहरू छन्।

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उत्पादन विवरण

Rofea Opteeefortrictics को प्रस्ताव अप्टिकल र फोटोनकीय इलेक्ट्रो अप्टिकल मोडुलॉयज उत्पादनहरू

उत्पादन ट्यागहरू

विशेषता

■ RF ब्यान्डविथ 20/400 gz सम्म

■ कम आधा-तरंग भोल्टेज

■ as.5db को रूपमा कम सम्मिलित

■ सानो उपकरण आकार

Rof eom तीव्रता Moth Moth Mailly lithium nothium tfln Mefln मोड्युलेटर

प्यारामिटर सी-ब्यान्ड

श्रेणी	तर्क	सिम्म	एकी	Alights
अप्टिकल प्रदर्शन (@ 25 डिग्री सेल्सियस)	अपरेटिंग तरंगलबंग (*)	λ	nm	X2:.C
				~ 1550
	अप्टिकल विलुप्त अनुपात (@DC) (**)	ER	dB	≥ 20
	अप्टिकल रिटर्न नोक्सान	र l	dB	≤ -27
	अप्टिकल सम्मिलन घाटा (*)	IL	dB	अधिकतम: .5..5 टिप: 4.5।
विद्युतीय गुणहरू (@ 25 ° C)	D DB इलेक्ट्रो-अप्टिकल ब्यान्डविच (2 GSZ बाट)	S21	गेज	X1: 2	X1:।
				मि: 18TEP: 20	मिनेट: 36 36TTP: 40
	RF आधा तरंग भोल्टेज (@ @ @ @ khz)	V_π	V	X3:.5	X3:.6
				अधिकतम: 3.0TTP: 2.5	अधिकतम: 3.5 टिप: 00.0
	गर्मी संशोधित बानिया आधा तरंग शक्ति	पी	mW	≤0
	आरएफ रिटर्न घाटा (2 G घण्टा 40 gz)	S 11	dB	≤ -10
काम गर्ने अवस्था	अपरेटिंग तापमान	TO	° c	-20 ~ 70

* अनुकूलन योग्य** उच्च विलुप्त अनुपात (> 25 डीबी) अनुकूलित गर्न सकिन्छ।

प्यारामिटर ओ-ब्यान्ड

श्रेणी	तर्क	सिम्म	एकी	Alights
अप्टिकल प्रदर्शन (@ 25 डिग्री सेल्सियस)	अपरेटिंग तरंगलबंग (*)	λ	nm	X2:.O
				~ 1110
	अप्टिकल विलुप्त अनुपात (@DC) (**)	ER	dB	≥ 20
	अप्टिकल रिटर्न नोक्सान	र l	dB	≤ -27
	अप्टिकल सम्मिलन घाटा (*)	IL	dB	अधिकतम: .5..5 टिप: 4.5।
विद्युतीय गुणहरू (@ 25 ° C)	D DB इलेक्ट्रो-अप्टिकल ब्यान्डविच (2 GSZ बाट)	S21	गेज	X1: 2	X1:।
				मि: 18TEP: 20	मिनेट: 36 36TTP: 40
	RF आधा तरंग भोल्टेज (@ @ @ @ khz)	V_π	V	X3:.4
				अधिकतम: 2.5 टिप: 2.0
	गर्मी संशोधित बानिया आधा तरंग शक्ति	पी	mW	≤0
	आरएफ रिटर्न घाटा (2 G घण्टा 40 gz)	S 11	dB	≤ -10
काम गर्ने अवस्था	अपरेटिंग तापमान	TO	° c	-20 ~ 70

* अनुकूलन योग्य** उच्च विलुप्त अनुपात (> 25 डीबी) अनुकूलित गर्न सकिन्छ।

क्षति थ्रेसोल्ड

यदि उपकरण अधिकतम क्षति थ्रेसोल्ड भन्दा बढि छ भने, यसले उपकरणलाई अपरिवर्तनीय क्षति पुर्याउँछ, र यस प्रकारको उपकरण क्षति मर्मत सेवाले ढाकिएको छैन।

Aरोजुहरू	सिम्म	Sवैध विद्युनीय	दारी	अधिकतम	एकी
RF इनपुट शक्ति	पाप	-	18	डीबीएम	पाप
RF इनपुट स्विंग भोल्टेज	VPPT	-2.5	+22.5	V	VPPT
RF इनपुट RMS भोल्टेज	छाउनी	-	1.7878	V	छाउनी
अप्टिकल इनपुट शक्ति	आलपिन	-	20	डीबीएम	आलपिन
थर्मोटोत बायड भोल्टेज	ओहोरटर	-	.5 ..5	V	ओहोरटर
तातो ट्यून ट्युनिंग बिस वर्तमान	IHERETER	-	50	mA	IHERETER
भण्डारण तापमान	TS	-40	85	℃	TS
सापेक्ष आर्द्रता (कुनै कन्सेन्सेशन छैन)	RH	5	90	%	RH

S21 परीक्षण नमूना

अन्जिर1: S21

अन्जिर2: S 11

आदेश जानकारी

पातलो फिल्म लिथियम nobbate 20 gz / 40 gz गहन मोडुलेटर

पढ्ने	वर्णन	पढ्ने
X1	D DB इलेक्ट्रो-अप्टिकल ब्यान्डविश	2or?
X2	अपरेटिंग तरंगदैर्ध्य	O or C
X3	अधिकतम आरएफ इनपुट शक्ति	C-ब्यान्ड5 or 6	Oसन्दककरोप4

अघिल्लो: Rof rf मोड्युल 1-6G जीविवे रिपोजिकल फाइबर ट्रान्स ट्रान्समिट लिंक लिंक आरएफ आरएफ

अर्को

Rofea Opteebrointics वाणिज्यिक इलेक्ट्रो अप्टिकल मोड्युलेटरहरू, फराट मोडुलटोर, फोटोन लेजर, Qpsk Plestics, REX LESTACE EDELATER, BUFB CLASTALE, ब्रॉडल पावर क्लीज लेजर, ट्युनिबल लेजर, अप्टिकल डिटेक्टर, लेजर डाइज्ड ड्राइभर, फाइबर एम्पल्सोफायर। हामी अनुकूलनका लागि धेरै विशेष मोडलेटरहरू प्रदान गर्दछौं, जस्तै 1 * 4 एर्रे चरण, अल्ट्रा-कम VPI, अल्ट्रा-कम VPI, मुख्य रूपमा विश्वविद्यालय र संस्थानहरूमा प्रयोग गरिएको।
आशा छ हाम्रा उत्पादनहरू तपाईं र तपाईंको अनुसन्धानको लागि सहयोगी हुनेछन्।

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