Rof EOM इन्टेन्सिटी मोड्युलेटर २०G पातलो फिल्म लिथियम निओबेट इलेक्ट्रो-अप्टिक मोड्युलेटर
सुविधा
■ २०GHz सम्मको RF ब्यान्डविथ
■ कम हाफ-वेभ भोल्टेज
■ ४.५dB सम्मको न्यूनतम सम्मिलन घाटा
■ सानो उपकरण आकार
प्यारामिटर सी-ब्यान्ड
| कोटी | तर्क | सिम | युनि | एओइन्टर | |
| अप्टिकल प्रदर्शन (@२५°C) | सञ्चालन तरंगदैर्ध्य (*) | λ | nm | X2:C | |
| ~१५५० | |||||
| अप्टिकल एक्स्टिन्युसन अनुपात (@DC) (**) | ER | dB | ≥ २० | ||
| अप्टिकल रिटर्न हानि
| ओआरएल | dB | ≤ -२७ | ||
| अप्टिकल इन्सर्सन नोक्सान (*) | IL | dB | अधिकतम: ५.५ प्रकार: ४.५ | ||
| विद्युतीय गुणहरू (@२५°C)
| ३ dB इलेक्ट्रो-अप्टिकल ब्यान्डविथ (२ GHz बाट) | S21 का एपिसोड (1) | गिगाहर्ज | X१: २ | |
| न्यूनतम: १८ प्रकार: २० | |||||
| आरएफ हाफ वेभ भोल्टेज (@५० किलोहर्ट्ज)
| Vπ | V | X3:5 | ||
| अधिकतम: ३.० प्रकार: २.५ | |||||
| ताप मोड्युलेटेड बायस हाफ वेभ पावर | Pπ | mW | ≤ ५० | ||
| आरएफ रिटर्न हानि (२ GHz देखि २० GHz)
| S11 का एपिसोड (11) | dB | ≤ -१० | ||
| काम गर्ने अवस्था
| सञ्चालन तापमान | TO | °से. | -२० ~ ७० | |
* अनुकूलन योग्य** उच्च विलुप्तता अनुपात (> २५ dB) अनुकूलित गर्न सकिन्छ।
प्यारामिटर ओ-ब्यान्ड
| कोटी | तर्क | सिम | युनि | एओइन्टर | |
| अप्टिकल प्रदर्शन (@२५°C) | सञ्चालन तरंगदैर्ध्य (*) | λ | nm | X2:O | |
| ~१३१० | |||||
| अप्टिकल एक्स्टिन्युसन अनुपात (@DC) (**) | ER | dB | ≥ २० | ||
| अप्टिकल रिटर्न हानि
| ओआरएल | dB | ≤ -२७ | ||
| अप्टिकल इन्सर्सन नोक्सान (*) | IL | dB | अधिकतम: ५.५ प्रकार: ४.५ | ||
| विद्युतीय गुणहरू (@२५°C)
| ३ dB इलेक्ट्रो-अप्टिकल ब्यान्डविथ (२ GHz बाट) | S21 का एपिसोड (1) | गिगाहर्ज | X१: २ | |
| न्यूनतम: १८ प्रकार: २० | |||||
| आरएफ हाफ वेभ भोल्टेज (@५० किलोहर्ट्ज)
| Vπ | V | X3:4 | ||
| अधिकतम: २.५ प्रकार: २.० | |||||
| ताप मोड्युलेटेड बायस हाफ वेभ पावर | Pπ | mW | ≤ ५० | ||
| आरएफ रिटर्न हानि (२ GHz देखि २० GHz)
| S11 का एपिसोड (11) | dB | ≤ -१० | ||
| काम गर्ने अवस्था
| सञ्चालन तापमान | TO | °से. | -२० ~ ७० | |
* अनुकूलन योग्य** उच्च विलुप्तता अनुपात (> २५ dB) अनुकूलित गर्न सकिन्छ।
क्षतिको सीमा
यदि उपकरणले अधिकतम क्षति सीमा नाघ्यो भने, यसले उपकरणमा अपरिवर्तनीय क्षति निम्त्याउनेछ, र यस प्रकारको उपकरण क्षति मर्मत सेवा द्वारा कभर गरिएको छैन।
| Aतर्क | सिम | Sचुनावयोग्य | न्यूनतम | अधिकतम | युनि |
| आरएफ इनपुट पावर | पाप | - | 18 | dBm ले | पाप |
| आरएफ इनपुट स्विङ भोल्टेज | भीपीपी | -२.५ | +२.५ | V | भीपीपी |
| आरएफ इनपुट आरएमएस भोल्टेज | Vrms का थप वस्तुहरू | - | १.७८ | V | Vrms का थप वस्तुहरू |
| अप्टिकल इनपुट पावर | पिन गर्नुहोस् | - | 20 | dBm ले | पिन गर्नुहोस् |
| थर्मोट्युन्ड बायस भोल्टेज | उहिएटर | - | ४.५ | V | उहिएटर |
| तातो ट्युनिङ बायस करेन्ट
| हिटर | - | 50 | mA | हिटर |
| भण्डारण तापक्रम | TS | -४० | 85 | ℃ | TS |
| सापेक्षिक आर्द्रता (संघनन छैन) | RH | 5 | 90 | % | RH |
S21 परीक्षण नमूना
चित्र1: S21 का एपिसोड (1)
चित्र2: S11 का एपिसोड (11)
अर्डर जानकारी
पातलो फिल्म लिथियम नियोबेट २० GHz तीव्रता मोड्युलेटर
| चयन गर्न सकिने | विवरण | चयन गर्न सकिने | |
| X1 | ३ dB इलेक्ट्रो-अप्टिकल ब्यान्डविथ | २or४ | |
| X2 | सञ्चालन तरंगदैर्ध्य | O or C | |
| X3 | अधिकतम आरएफ इनपुट पावर | सी-ब्यान्ड5 or 6 | O-ब्यान्ड4 |
रोफिया अप्टोइलेक्ट्रोनिक्सले व्यावसायिक इलेक्ट्रो-अप्टिक मोड्युलेटरहरू, फेज मोड्युलेटरहरू, इन्टेन्सिटी मोड्युलेटरहरू, फोटोडिटेक्टरहरू, लेजर लाइट स्रोतहरू, DFB लेजरहरू, अप्टिकल एम्पलीफायरहरू, EDFA, SLD लेजर, QPSK मोड्युलेसन, पल्स लेजर, लाइट डिटेक्टर, ब्यालेन्स्ड फोटोडिटेक्टर, लेजर ड्राइभर, फाइबर अप्टिक एम्पलीफायर, अप्टिकल पावर मिटर, ब्रॉडब्यान्ड लेजर, ट्युनेबल लेजर, अप्टिकल डिटेक्टर, लेजर डायोड ड्राइभर, फाइबर एम्पलीफायरको उत्पादन लाइन प्रदान गर्दछ। हामी अनुकूलनको लागि धेरै विशेष मोड्युलेटरहरू पनि प्रदान गर्दछौं, जस्तै १*४ एरे फेज मोड्युलेटरहरू, अल्ट्रा-लो Vpi, र अल्ट्रा-हाई एक्स्टिन्युसन रेशियो मोड्युलेटरहरू, जुन मुख्य रूपमा विश्वविद्यालयहरू र संस्थानहरूमा प्रयोग गरिन्छ।
आशा छ हाम्रा उत्पादनहरू तपाईं र तपाईंको अनुसन्धानको लागि उपयोगी हुनेछन्।
