Rof इलेक्ट्रो-ओप्टिक मोड्युलेटर 780nm LiNbO3 तीव्रता मोड्युलेटर 10G

छोटो विवरण:

LiNbO3 तीव्रता मोड्युलेटर उच्च-गति अप्टिकल संचार प्रणाली, लेजर सेन्सिङ र आरओएफ प्रणालीहरूमा व्यापक रूपमा प्रयोग गरिन्छ किनभने राम्रो इलेक्ट्रो-ओप्टिक प्रदर्शन। MZ पुश-पुल संरचना र X-कट डिजाइनमा आधारित R-AM श्रृंखलामा स्थिर भौतिक र रासायनिक विशेषताहरू छन्, जुन प्रयोगशाला प्रयोग र औद्योगिक प्रणाली दुवैमा लागू गर्न सकिन्छ।

हामीलाई इमेल पठाउनुहोस् डाउनलोड गर्नुहोस्

उत्पादन विवरण

Rofea Optoelectronics ले अप्टिकल र फोटोनिक्स इलेक्ट्रो-ओप्टिक मोड्युलेटर उत्पादनहरू प्रस्ताव गर्दछ

उत्पादन ट्यागहरू

सुविधा

* कम सम्मिलन हानि
* उच्च ब्यान्डविथ
* कम हाफ-वेभ भोल्टेज
* अनुकूलन विकल्प

इलेक्ट्रो-ओप्टिक मोड्युलेटर इलेक्ट्रो-अप्टिकल मोड्युलेटर LiNbO3 तीव्रता मोड्युलेटर MZM मोड्युलेटर Mach-Zehnder मोड्युलेटर LiNbO3 मोड्युलेटर लिथियम niobate मोड्युलेटर

आवेदन

⚫ ROF प्रणालीहरू
⚫ क्वान्टम कुञ्जी वितरण
⚫ लेजर सेन्सिङ प्रणाली
⚫ साइड-ब्यान्ड मोडुलेशन

रोफ-AM श्रृंखला	रोफ-AM-07	रोफ-AM-08	रोफ-AM-10	रोफ-AM-13	रोफ-AM-15
सञ्चालन तरंगदैर्ध्य	780nm	८५० एनएम	1064nm	1310nm	१५५० एनएम
ब्यान्डविथ	10GHz	10GHz	10/२०GHz	2.5GHz	50GHz	10GHz	20GHz	40GHz
प्रविष्टि हानि	~5dB	~5dB	म५dB	म५dB	म4dB
विलुप्तता अनुपात @DC	>20dB	>20dB	>20dB	>20dB	>20dB
V_Π@RF (1KHz)	3V	3V	4V	<3.5V	म6V	<5V
V_Π@Bias	म३.५V	म३.५V	5V	<5V	<8V	<7V

अर्डर जानकारी

रोफ

XXG

प्रकार: एएम--- तीव्रता मोड्युलेटर

तरंग लम्बाइ:

07---780nm
०८---८५० एनएम

10---1060nm

13---1310nm

१५---१५५० एनएम

ब्यान्डविथ:

10GHz

20GHz

40GHz

५०GHz

मनिटर PD:

PD --- PD संग
00 --- PD छैन

इन-आउट फाइबर प्रकार: पीपी---पीएम/पीएम

अप्टिकल कनेक्टर: FA---FC/APCFP---FC/PC

एसपी---अनुकूलन

R-AM-07-10G

वेभलेन्थ 710nm 10GHz तीव्रता मोड्युलेटर

प्यारामिटर				प्रतीक		न्यूनतम	टाइप गर्नुहोस्	अधिकतम	एकाइ
अप्टिकल प्यारामिटरहरू
सञ्चालन तरंगदैर्ध्य				l		७६०	७८०	८००	nm
प्रविष्टि हानि				IL			४.५	5	dB
अप्टिकल रिटर्न हानि				ORL				-४५	dB
विलुप्त हुने अनुपात @DC स्विच गर्नुहोस्				ER@DC		20	23		dB
अप्टिकल फाइबर	इनपुटपोर्ट					PM७८०फाइबर (125/250μm)
	आउटपुट पोर्ट					PM७८०फाइबर (125/250μm)
अप्टिकल फाइबर इन्टरफेस						FC/PC, FC/APC वा अनुकूलन
विद्युतीय मापदण्डहरू
सञ्चालन ब्यान्डविथ(-3dB)					S₂₁	10	12		GHz
हाफ-वेभ भोल्टेज Vpi		RF			@1KHz		2.5	3	V
		पूर्वाग्रह			@1KHz		3	4	V
विद्युतीय फिर्ती हानि					S₁₁		-१२	-१०	dB
इनपुट प्रतिबाधा			RF		Z_RF	50			W
			पूर्वाग्रह		Z_BIAS	1M			W
विद्युतीय इन्टरफेस						SMA(f)

सीमा सर्तहरू

प्यारामिटर	प्रतीक	एकाइ	न्यूनतम	टाइप गर्नुहोस्	अधिकतम
अप्टिकल पावर इनपुट गर्नुहोस्	P_{मा, अधिकतम}	dBm			20
आरएफ पावर इनपुट गर्नुहोस्		dBm			28
पूर्वाग्रह भोल्टेज	Vbias	V	-15		15
सञ्चालन तापमान	शीर्ष	℃	-१०		60
भण्डारण तापमान	Tst	℃	-४०		85
आर्द्रता	RH	%	5		90

S21 वक्र

&S11 वक्र

S21 र s11 वक्र

मेकानिकल रेखाचित्र

पोर्ट	प्रतीक	नोट
मा	अप्टिकल इनपुट पोर्ट	PM फाइबर (125μm/250μm)
बाहिर	अप्टिकल आउटपुट पोर्ट	PM र SMF विकल्प
RF	आरएफ इनपुट पोर्ट	SMA(f)
पूर्वाग्रह	पूर्वाग्रह नियन्त्रण पोर्ट	1,2 पूर्वाग्रह, 34-N/C

अघिल्लो: Rof इलेक्ट्रो-ओप्टिक मोड्युलेटर 1550nm LiNbO3 तीव्रता मोड्युलेटर 50G

अर्को: Rof इलेक्ट्रो-ओप्टिक मोड्युलेटर 1064nm Eo मोड्युलेटर LiNbO3 चरण मोड्युलेटर 2G

Rofea Optoelectronics ले व्यावसायिक इलेक्ट्रो-ओप्टिक मोड्युलेटरहरू, फेज मोड्युलेटरहरू, तीव्रता मोड्युलेटर, फोटोडेटेक्टरहरू, लेजर लाइट स्रोतहरू, DFB लेजरहरू, अप्टिकल एम्पलीफायरहरू, EDFA, SLD लेजर, QPSK मोड्युलेसन, पल्स लेजर, लाइट डिटेक्टर, बाल डिटेक्टर, लामा ड्राइभरको उत्पादन लाइन प्रदान गर्दछ। , फाइबर अप्टिक एम्पलीफायर, अप्टिकल पावर मिटर, ब्रॉडब्यान्ड लेजर, ट्युनेबल लेजर, अप्टिकल डिटेक्टर, लेजर डायोड ड्राइभर, फाइबर एम्पलीफायर। हामी अनुकूलनका लागि धेरै विशेष मोड्युलेटरहरू पनि प्रदान गर्छौं, जस्तै 1*4 एरे चरण मोड्युलेटरहरू, अल्ट्रा-लो Vpi, र अल्ट्रा-उच्च विलुप्त अनुपात मोड्युलेटरहरू, मुख्य रूपमा विश्वविद्यालयहरू र संस्थानहरूमा प्रयोग गरिन्छ।
आशा छ कि हाम्रो उत्पादनहरु तपाई र तपाईको अनुसन्धान को लागी उपयोगी हुनेछ।