चिनियाँ टोलीले 1.2μm ब्यान्ड उच्च-शक्ति ट्युनेबल रमन फाइबर लेजर विकास गरेको छ

चिनियाँ टोलीले 1.2μm ब्यान्ड उच्च-शक्ति ट्युनेबल रमन विकास गरेको छफाइबर लेजर

लेजर स्रोतहरू1.2μm ब्यान्डमा सञ्चालन हुने फोटोडायनामिक थेरापी, बायोमेडिकल डायग्नोस्टिक्स, र अक्सिजन सेन्सिङमा केही अद्वितीय अनुप्रयोगहरू छन्। थप रूपमा, तिनीहरू मध्य इन्फ्रारेड प्रकाशको प्यारामेट्रिक उत्पादनको लागि र फ्रिक्वेन्सी दोब्बर गरेर दृश्य प्रकाश उत्पन्न गर्न पम्प स्रोतको रूपमा प्रयोग गर्न सकिन्छ। 1.2 μm ब्यान्डमा लेजरहरू फरकसँग हासिल गरिएको छठोस राज्य लेजरहरू, सहितअर्धचालक लेजरहरू, हीरा रमन लेजरहरू, र फाइबर लेजरहरू। यी तीन लेजरहरू मध्ये, फाइबर लेजरसँग साधारण संरचना, राम्रो बीम गुणस्तर र लचिलो सञ्चालनका फाइदाहरू छन्, जसले यसलाई १.२μm ब्यान्ड लेजर उत्पन्न गर्न उत्तम विकल्प बनाउँछ।
हालै, चीनमा प्रोफेसर पु झोउको नेतृत्वमा अनुसन्धान टोलीले 1.2μm ब्यान्डमा उच्च-शक्ति फाइबर लेजरहरूमा रुचि राखेको छ। वर्तमान उच्च शक्ति फाइबरलेजरहरूमुख्यतया 1 μm ब्यान्डमा ytterbium-doped फाइबर लेजरहरू छन्, र 1.2 μm ब्यान्डमा अधिकतम आउटपुट पावर 10 W को स्तरमा सीमित छ। तिनीहरूको काम, "1.2μm वेभब्यान्डमा उच्च पावर ट्युनेबल रमन फाइबर लेजर," शीर्षक थियो। Frontiers of मा प्रकाशितअप्टोइलेक्ट्रोनिक्स.

अंजीर। 1: (a) उच्च-शक्ति ट्युनेबल रमन फाइबर एम्प्लीफायर र (b) 1.2 μm ब्यान्डमा ट्युनेबल अनियमित रमन फाइबर सीड लेजरको प्रयोगात्मक सेटअप। PDF: फास्फोरस-डोपड फाइबर; QBH: क्वार्ट्ज बल्क; WDM: वेभलेन्थ डिभिजन मल्टिप्लेक्सर; SFS: सुपरफ्लोरोसेन्ट फाइबर प्रकाश स्रोत; P1: पोर्ट 1; P2: पोर्ट 2. P3: पोर्ट 3 लाई संकेत गर्दछ। स्रोत: Zhang Yang et al।, 1.2μm वेभब्यान्डमा उच्च पावर ट्युनेबल रमन फाइबर लेजर, Optoelectronics को सीमा (2024)।
1.2μm ब्यान्डमा उच्च-शक्ति लेजर उत्पन्न गर्न निष्क्रिय फाइबरमा उत्तेजित रमन स्क्याटरिङ प्रभाव प्रयोग गर्ने विचार हो। उत्तेजित रमन स्क्याटरिङ तेस्रो-क्रम ननलाइनर प्रभाव हो जसले फोटोनहरूलाई लामो तरंगदैर्ध्यमा रूपान्तरण गर्छ।

चित्र २: ट्युनेबल अनियमित RFL आउटपुट स्पेक्ट्रा (a) 1065-1074 nm र (b) 1077 nm पम्प तरंगदैर्ध्य (Δλ ले 3 dB लाइनविड्थलाई बुझाउँछ)। स्रोत: Zhang Yang et al।, 1.2μm वेभब्यान्डमा उच्च पावर ट्युनेबल रमन फाइबर लेजर, फ्रन्टियर्स अफ ओप्टोइलेक्ट्रोनिक्स (2024)।
अन्वेषकहरूले 1 μm ब्यान्डमा 1.2 μm ब्यान्डमा उच्च-शक्ति ytterbium-doped फाइबरलाई रूपान्तरण गर्न फस्फोरस-डोपड फाइबरमा उत्तेजित रमन स्क्याटरिङ प्रभाव प्रयोग गरे। 1252.7 nm मा 735.8 W सम्मको पावर भएको रमन सिग्नल प्राप्त भएको थियो, जुन 1.2 μm ब्यान्ड फाइबर लेजरको आजसम्म रिपोर्ट गरिएको उच्चतम आउटपुट पावर हो।

चित्र ३: (क) विभिन्न संकेत तरंगदैर्ध्यमा अधिकतम आउटपुट पावर र सामान्यीकृत आउटपुट स्पेक्ट्रम। (b) विभिन्न संकेत तरंगदैर्ध्यमा पूर्ण आउटपुट स्पेक्ट्रम, dB मा (Δλ ले 3 dB लाइनविड्थलाई बुझाउँछ)। स्रोत: Zhang Yang et al।, 1.2μm वेभब्यान्डमा उच्च पावर ट्युनेबल रमन फाइबर लेजर, फ्रन्टियर्स अफ ओप्टोइलेक्ट्रोनिक्स (2024)।

चित्र: 4: (a) स्पेक्ट्रम र (b) 1074 nm को पम्पिंग तरंग लम्बाइमा उच्च-शक्ति ट्युनेबल रमन फाइबर एम्पलीफायरको शक्ति विकास विशेषताहरू। स्रोत: Zhang Yang et al., 1.2μm वेभब्यान्डमा हाई पावर ट्युनेबल रमन फाइबर लेजर, फ्रन्टियर्स अफ ओप्टोइलेक्ट्रोनिक्स (2024)